SI8467DB-T2-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 4-XFBGA，CSPBGA
数量：: 747
说明：: MOSFET -20V 3.4A 1.8W 73mOhms @ 4.5V

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SI8467DB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：50 ns
商标名：MICROFOOT TrenchFET
上升时间：45 ns
功率耗散：1.8 W
栅极电荷 Qg：6.9 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6 S
下降时间：20 ns
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-4
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.073 Ohms
漏极连续电流：- 3.7 A
闸/源击穿电压：- 1.5 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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