SI8489EDB-T2-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 4-UFBGA
数量：: 7797
说明：: MOSFET -20V 44mOhm@10V 5.4A P-Ch G-III

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SI8489EDB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：50 ns
商标名：MICROFOOT TrenchFET
上升时间：20 ns
功率耗散：0.3 W to 0.9 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：9.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降时间：25 ns
包装形式：Reel
封装形式：MICRO FOOT 1 x 1
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：44 mOhms at 10 V
漏极连续电流：0.7 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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