SI8499DB-T2-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-UFBGA
数量：: 5579
说明：: MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III

一、本商品被浏览0次.

SI8499DB-T2-E1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：55 nS
上升时间：10 nS
功率耗散：2.77 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：20 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降时间：30 nS
包装形式：Reel
封装形式：MICRO FOOT 1.5 x 1
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：32 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 7.8 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI8499DB-T2-E1的详细信息，包括SI8499DB-T2-E1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：