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SI8483DB-T2-E1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 6-Micro Foot?（1.5x1）
数量：
 4779  
说明：
 MOSFET -12V 26mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III
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SI8483DB-T2-E1-6-Micro Foot?（1.5x1）图片

SI8483DB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：80 nS
上升时间：20 nS
功率耗散：13 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：43 nC
下降时间：20 nS
包装形式：Reel
封装形式：MICRO FOOT 1.5 x 1
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：26 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 16 A
闸/源击穿电压：+/- 10 V
汲极/源极击穿电压：- 12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8483DB-T2-E1的详细信息，包括SI8483DB-T2-E1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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