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SI8487DB-T1-E1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 4-Microfoot
数量：
 4788  
说明：
 MOSFET -30V 31mOhm@10V 7.7A P-Ch G-III
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SI8487DB-T1-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI8487DB-E1
典型关闭延迟时间：290 ns
上升时间：10 ns
功率耗散：2.7 W
栅极电荷 Qg：52 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：16 S
下降时间：60 ns
包装形式：Reel
封装形式：MICRO FOOT 1.6 x 1.6
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：31 mOhms at 10 V
漏极连续电流：7.7 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8487DB-T1-E1的详细信息，包括SI8487DB-T1-E1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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