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中文参数如下:
零件号别名:SI8473EDB-E1
功率耗散:2.7 W
包装形式:Reel
封装形式:Micro Foot-4
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):34 mOhms
漏极连续电流:7.1 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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