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SI8472DB-T2-E1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 4-UFBGA
数量：
 16162  
说明：
 MOSFET 20V 4.5A 1.8W 44mOhms @ 4.5V
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SI8472DB-T2-E1-4-UFBGA图片

SI8472DB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：1.8 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.044 Ohms at 4.5 V
漏极连续电流：4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8472DB-T2-E1的详细信息，包括SI8472DB-T2-E1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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