| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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NE3511S02-T1C-A |
CEL
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S02 |
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射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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| 参数：CEL|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13.5dB|2 V|70mA|0.3... |
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NE3512S02-A |
CEL
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S02 |
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射频GaAs晶体管 C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch |
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| 参数：CEL|散装|-|停产|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13.5dB|2 V|70mA|0.35dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD，扁平引线|... |
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NE3512S02-T1C-A |
CEL
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S02 |
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射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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| 参数：CEL|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13.5dB|2 V|70mA|0.3... |
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NE3512S02-T1D-A |
CEL
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S0-2 |
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射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：13.5 dB，噪声系数：0.35 dB，正向跨导 g... |
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NE3514S02-A |
CEL
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S02 |
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射频GaAs晶体管 K Band Super Low Noise Amp N-Ch |
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| 参数：CEL|带|-|停产|GaAs HJ-FET|-|20GHz|10dB|2 V|70mA|0.75dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD，扁平引线|S02... |
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NE3514S02-T1D-A |
CEL
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S0-2 |
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射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：20 GHz，增益：10 dB，噪声系数：0.75 dB，正向跨导 gFS... |
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NE3515S02-A |
CEL
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S02 |
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射频GaAs晶体管 X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH |
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| 参数：CEL|散装|-|停产|GaAs HJ-FET|-|12GHz|12.5dB|2 V|88mA|0.3dB|10 mA|14dBm|4 V|-|4-SMD，扁平... |
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NE3515S02-T1C-A |
CEL
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S02 |
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射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic |
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| 参数：CEL|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|GaAs HJ-FET|-|12GHz|12.5dB|2 V|88mA|0.3... |
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NE3515S02-T1D-A |
CEL
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S02 |
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射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic |
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| 参数：CEL|卷带（TR）|-|停产|GaAs HJ-FET|-|12GHz|12.5dB|2 V|88mA|0.3dB|10 mA|14dBm|4 V|-|4-SM... |
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NE3517S03-A |
CEL
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S0-3 |
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射频GaAs晶体管 20GHz NF .7dB Typ Ga 13.5dB Typ |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪声系数：0.7 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：55 ... |
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NE3517S03-T1D-A |
CEL
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S0-3 |
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射频GaAs晶体管 20GHz NF .7dB Typ Ga 13.5dB Typ |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪声系数：0.7 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：55 ... |
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NE3210S01 |
CEL
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SMD |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：CEL|带|-|停产|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13.5dB|2 V|15mA|0.35dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD|SMD... |
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NE32584C-S |
NEC/CEL
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Micro-X Ceramic (84 C) |
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射频GaAs晶体管 84C LO NO HJ FET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：12 GHz，增益：12.5 dB，噪声系数：0.45 dB，正向跨导 ... |
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NE325S01 |
NEC/CEL
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SO-1 |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：12.5 dB，噪声系数：0.45 dB，正向跨导 g... |
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NE325S01-T1B |
NEC/CEL
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SO-1 |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：12.5 dB，噪声系数：0.45 dB，正向跨导 g... |
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NE25118-T1-U73 |
NEC/CEL
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SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：0.9 GHz，增益：20 dB，噪声系数：1.1 dB，正向跨导 g... |
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NE25118-U73 |
NEC/CEL
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SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：0.9 GHz，增益：20 dB，噪声系数：1.1 dB，正向跨导 g... |
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NE3210S01-T1B |
CEL
|
SMD |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：CEL|卷带（TR）|-|停产|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13.5dB|2 V|15mA|0.35dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD|S... |
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NE334S01 |
NEC/CEL
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SO-1 |
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射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：4 GHz，增益：16 dB，噪声系数：0.25 dB，正向跨导 gFS（... |
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NE334S01-T1 |
NEC/CEL
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SO-1 |
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射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：4 GHz，增益：16 dB，噪声系数：0.25 dB，正向跨导 gFS（... |
