首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

厂家：
  CEL
封装：
 S02
数量：
 3393  
说明：
 射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
NE3515S02-T1C-A-S02图片

NE3515S02-T1C-A PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装：S02
封装/外壳：4-SMD，扁平引线
安装类型：-
电压 - 额定：4 V
功率 - 输出：14dBm
电流 - 测试：10 mA
噪声系数：0.3dB
额定电流（安培）：88mA
电压 - 测试：2 V
增益：12.5dB
频率：12GHz
配置：-
技术：GaAs HJ-FET
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：CEL

以上是NE3515S02-T1C-A的详细信息，包括NE3515S02-T1C-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • FDPF035N06B-F154
  • TK5Q60W,S1VQ
  • NTMYS3D5N04CTWG
  • IPB65R660CFDATMA1
  • MCP75N10Y-BP
  • TK5R3E08QM,S1X
  • SIR5710DP-T1-RE3
  • SIR4604LDP-T1-GE3
  • SIHU6N80AE-GE3
  • IPU95R2K0P7AKMA1

    • 相近型号推荐

    • NE3517S03-A图片

      NE3517S03-A

      射频GaAs晶体管 20GHz NF .7dB Typ Ga 13.5dB Typ

    • 暂无电子元件图

      NE4210S01

      射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC