NE334S01-T1

厂家:
  NEC/CEL
封装:
 SO-1
数量:
 4545  
说明:
 射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
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NE334S01-T1 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:1000
包装形式:Reel
封装形式:SO-1
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:300 mW
最大工作温度:+ 125 C
漏极连续电流:150 mA
闸/源击穿电压:- 3 V
漏源电压 VDS:4 V
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :85 mS
噪声系数:0.25 dB
增益:16 dB
频率:4 GHz
技术类型:HEMT
RoHS:是
产品种类:射频GaAs晶体管
制造商:NEC

以上是NE334S01-T1的详细信息,包括NE334S01-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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