| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BFU730F,115 | NXP Semiconductors | 4-DFP | 92,424 | 射频硅锗晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1 V，集电极连续电流：5 mA，功率耗散：197 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SO... | ||||||
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BFU760F,115 | NXP Semiconductors | 4-DFP | 1,293 | 射频硅锗晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1 V，集电极连续电流：70 mA，功率耗散：220 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：S... | ||||||
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BFU790F,115 | NXP Semiconductors | 4-DFP | 16,801 | 射频硅锗晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1 V，集电极连续电流：100 mA，功率耗散：234 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：... | ||||||
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BFU710F,115 | NXP Semiconductors | 4-DFP | 10,030 | 射频硅锗晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1 V，集电极连续电流：10 mA，功率耗散：136 mW，安装风格：SMD/SMT，封装形式：S... | ||||||
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BFR 740L3RH E6327 | Infineon Technologies | TSLP | 射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：160 mW，封装形式：TSLP，包装形式：Reel，最大工作温度：+ 150 C，... | ||||||
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BFR 750L3RH E6327 | Infineon Technologies | 射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFR750L3，工厂包装数量：1，零件号别名：BFR750L3RH... | ||||||
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BFR 705L3RH E6327 | Infineon Technologies | PG-TSLP-3 | 射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，功率耗散：40 mW，封装形式：TSLP，包装形式：Reel，最大工作温度：+ 150 C，最... | ||||||
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BFP 620 E7764 | Infineon Technologies | SOT-343 | 射频硅锗晶体管 NPN 2.3 V 80 mA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，功率耗散：185 mW，安装风格：SMD/SMT，... | ||||||
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BFP 620 H7764 | Infineon Technologies | 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP620，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFP620H77... | ||||||
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BFP 620F E7764 | Infineon Technologies | 4-TSFP | 射频硅锗晶体管 GP BJT NPN 2.3V 0.08A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：0.08 A，功率耗散：185 m... | ||||||
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BFP 620F H7764 | Infineon Technologies | 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP620，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFP620FH7... | ||||||
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BFP 640 E6327 | Infineon Technologies | SOT-343 | 射频硅锗晶体管 GP BJT NPN 4V 0.05A NPN 4V 0.05A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：50 mA，功率耗散：200 mW... | ||||||
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BFP 640 H6327 | Infineon Technologies | 2000 | 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP640，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFP640H63... | ||||||
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BFP 640 H6433 | Infineon Technologies | PG-SOT343-3D | 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：10000，零件号别名：BFP640H6433XT，... | ||||||
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BFP 640ESD E6327 | Infineon Technologies | 射频硅锗晶体管 Robust Hi Perform Lo Noise Bip RF Trans | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BFP640ESDE6327XT，... | ||||||
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BFP 640ESD H6327 | Infineon Technologies | 311 | 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP640，零件号别名：BFP640ESDH6327XT BFP640ESDH6327XTS... | ||||||
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BFP 640F E6327 | Infineon Technologies | TSFP | 3 | 射频硅锗晶体管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.05A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，发射极 - 基极电压 VEBO：1.2 V，集电极连续电流：0.05 A，功率耗散：200 m... | ||||||
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BFP 640F H6327 | Infineon Technologies | 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频硅锗晶体管，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP640，工厂包装数量：3000，零件号别名：BFP640FH6... | ||||||
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BFP 640FESD E6327 | Infineon Technologies | 4-TSFP | 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BFP640FESDE6327XT，... | ||||||
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BFP 640FESD H6327 | Infineon Technologies | 射频硅锗晶体管 RF BI | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，系列：BFP640，零件号别名：BFP640FESDH6327XT BFP640FESDH6327X... | ||||||
