NE3512S02-T1D-A

厂家:
  CEL
封装:
 S0-2
数量:
 3438  
说明:
 射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
NE3512S02-T1D-A-S0-2图片

NE3512S02-T1D-A PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

包装形式:Tape
封装形式:S0-2
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:165 mW
最大工作温度:+ 125 C
漏极连续电流:70 mA
闸/源击穿电压:- 3 V
漏源电压 VDS:4 V
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :55 mS
噪声系数:0.35 dB
增益:13.5 dB
频率:12 GHz
技术类型:HEMT
RoHS:是
产品种类:射频GaAs晶体管
制造商:CEL

以上是NE3512S02-T1D-A的详细信息,包括NE3512S02-T1D-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • NE3514S02-A图片

    NE3514S02-A

    射频GaAs晶体管 K Band Super Low Noise Amp N-Ch

  • NE3515S02-A图片

    NE3515S02-A

    射频GaAs晶体管 X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH

  • NE3517S03-A图片

    NE3517S03-A

    射频GaAs晶体管 20GHz NF .7dB Typ Ga 13.5dB Typ

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC