首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 射频半导体 > 晶体管射频 > 射频GaAs晶体管 > NE3514S02-T1D-A

NE3514S02-T1D-A

厂家：
  CEL
封装：
 S0-2
数量：
 3465  
说明：
 射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
NE3514S02-T1D-A-S0-2图片

NE3514S02-T1D-A PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

包装形式：Tape
封装形式：S0-2
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作温度：+ 125 C
漏极连续电流：70 mA
闸/源击穿电压：- 3 V
漏源电压 VDS：4 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：55 mS
噪声系数：0.75 dB
增益：10 dB
频率：20 GHz
技术类型：HEMT
RoHS：是
产品种类：射频GaAs晶体管
制造商：CEL

以上是NE3514S02-T1D-A的详细信息，包括NE3514S02-T1D-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频MOSFET电源晶体管   射频硅锗晶体管   射频双极小信号晶体管   射频JFET晶体管   射频双极电源晶体管  

最新产品：

  • STU6N60M2
  • TNETV2685ZUT5
  • ECX-P33CM-10.000
  • SW6-040120AI4HF
  • T493B474K050BH6410
  • AFS3-08001200-40-20P-4
  • MCIMX6DP4AVT1AA
  • ADS1220IPW
  • RER65F32R4RCSL
  • 52NN-CBSA-2.75X4.5X0.5

    • 相近型号推荐

    • NE3515S02-A图片

      NE3515S02-A

      射频GaAs晶体管 X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH

    • NE3517S03-A图片

      NE3517S03-A

      射频GaAs晶体管 20GHz NF .7dB Typ Ga 13.5dB Typ

    • 暂无电子元件图

      NE4210S01

      射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC