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NE25118-T1-U73

厂家：: NEC/CEL
封装：: SOT-343
数量：: 3177
说明：: 射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET

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NE25118-T1-U73 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
封装形式：SOT-343
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：120 mW
最大工作温度：+ 125 C
漏极连续电流：20 mA
闸/源击穿电压：- 4.5 V
漏源电压 VDS：13 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：25 mS
噪声系数：1.1 dB
增益：20 dB
频率：0.9 GHz
技术类型：MESFET
RoHS：否
产品种类：射频GaAs晶体管
制造商：NEC

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