NE3511S02-T1C-A

厂家:
  CEL
封装:
 S02
数量:
 3384  
说明:
 射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
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NE3511S02-T1C-A PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:S02
封装/外壳:4-SMD,扁平引线
安装类型:-
电压 - 额定:4 V
功率 - 输出:-
电流 - 测试:10 mA
噪声系数:0.3dB
额定电流(安培):70mA
电压 - 测试:2 V
增益:13.5dB
频率:12GHz
配置:-
技术:GaAs HJ-FET
产品状态:停产
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌:CEL

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