Toshiba
|
Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) is an independent operating company owned by Toshiba America, Inc., a subsidiary of Toshiba Corporation, Japan's largest semiconductor manufacturer. Toshiba is a global leader in the design and manufacture of high-quality Flash memory-based storage solutions, discrete devices, custom SoCs/ASICs, digital multimedia and imaging products, microcontrollers (MCUs), and wireless components.Toshiba products are ideal for automotive, imaging, LED lighting, mobile, multimedia, and wireless applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
.JPG)
|
2SK2841(F) | Toshiba | TO-220 ABL | MOSFET N-Ch 400V 10A Rdson 0.4 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲极/... | ||||||
|
2SK2842(Q,T) | Toshiba | TO-220 | MOSFET MOSFET N-Ch 500V 12A Rdson 0.52 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
|
|
2SK2843(Q) | Toshiba | TO-220 | MOSFET MOSFET N-Ch 600V 10A Rdson=0.75Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... | ||||||
|
2SK2845(TE16L1,Q) | Toshiba | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET MOSFET N-Ch 900V 1A Rdson 9 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
|
2SK2847(F) | Toshiba | TO-3P（N）IS | MOSFET N-ch 900V 8A 1.1 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
|
2SK2866(F) | Toshiba | TO-220-3 | MOSFET MOSFET N-Ch 600V 10A Rdson=0.75Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
|
|
2SK2883(TE24L,Q) | Toshiba | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET MOSFET N-Ch 800V 3A Rdson=3.6Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... | ||||||
|
|
2SK2915(Q,T) | Toshiba | TO-3 | MOSFET MOSFET N-Ch 600V 16A Rdson 0.4 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
|
|
2SK2916(F) | Toshiba | TO-3P（N）IS | MOSFET N-ch 500V 14A 0.4 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... | ||||||
|
|
2SK2917(F) | Toshiba | TO-3P（N）IS | MOSFET N-ch 500V 18A 0.27 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
|
2SK2953 | Toshiba | MOSFET N-Ch 600V 15A Rdson 0.4 Ohm | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
|
|
2SK2953(F) | Toshiba | TO-3P(N)IS | MOSFET N-Ch 600V 15A Rdson 0.4 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
|
|
2SK2961(TE6,F,M) | Toshiba | TO-92 MOD | MOSFET N-ch 60V 2A 0.27 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
2SK2962(TE6,F,M) | Toshiba | TO-226-3，TO-92-3 长体 | MOSFET N-ch 100V 1A 0.7 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
2SK2963 | Toshiba | MOSFET N-Ch 100V 1A Rdson 0.7 Ohm | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
.JPG)
|
2SK2963(TE12L,F) | Toshiba | PW-MINI | MOSFET N-Ch 100V 1A Rdson 0.7 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
2SK2968 | Toshiba | TO-3PN | MOSFET N-Ch 900V 10A Rdson 1.25 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
.JPG)
|
2SK2968(F,T) | Toshiba | TO-3P | MOSFET N-Ch 900V 10A Rdson 1.25 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲极/... | ||||||
|
|
2SK2993(TE24L,Q) | Toshiba | TO-220SM | MOSFET MOSFET N-Ch 250V 20A Rdson 0.105 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
2SK3017(F) | Toshiba | TO-3P(N)IS | 14 | MOSFET MOSFET N-Ch 900V 8.5A Rdson 1.25 Ohm | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... | ||||||
36/41 首页 上页 [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] 下页 尾页
