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中文参数如下：
典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：50
上升时间：60 ns
功率耗散：150 W
栅极电荷 Qg：70 nC
下降时间：120 ns
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.25 Ohms
漏极连续电流：10 A
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba
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