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中文参数如下：
上升时间：25 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：25 ns
封装形式：TO-3PN
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.25 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba
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