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中文参数如下：
工厂包装数量：50
上升时间：22 ns
功率耗散：125 W
下降时间：36 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.75 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba
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