2SK2845(TE16L1,Q)

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中文参数如下：

工厂包装数量：2000
上升时间：20 ns
功率耗散：40 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：30 ns
封装形式：DP
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9 Ohms
漏极连续电流：1 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

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