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中文参数如下：
工厂包装数量：50
上升时间：25 ns
功率耗散：90 W
下降时间：25 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-3P(N)IS
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.25 Ohms
漏极连续电流：8.5 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba
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