TSM110NB04LCV RGG

厂家：: Taiwan Semiconductor Corporation
封装：: 8-PDFN（3.15x3.1）
数量：: 3942
说明：: 40V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER

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TSM110NB04LCV RGG PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），42W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1329 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 9A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta），44A（Tc）
漏源电压（Vdss）：40 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Taiwan Semiconductor Corporation

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