| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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NE72218 |
NEC/CEL |
SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 RO 551-NE34018 5/04 |
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| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：5 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：45 mS，漏源电压 VDS：5... |
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NE8500295-4 |
NEC/CEL |
CHIP |
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射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：3.5 GHz to 4.5 GHz，增益：10.5 dB，正向跨导 ... |
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NE8500295-6 |
NEC/CEL |
CHIP |
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射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：5.5 GHz to 6.5 GHz，增益：9.5 dB，正向跨导 g... |
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NE8500295-8 |
NEC/CEL |
CHIP |
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射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：7.5 GHz to 8.5 GHz，增益：8 dB，正向跨导 gFS... |
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NE650103M |
NEC/CEL |
3M |
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射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A |
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| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：2.3 GHz，增益：11 dB，漏源电压 VDS：15 V，闸/源击穿电压：- 18 V，漏极连续... |
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NE6510179A |
NEC/CEL |
79A |
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射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，技术类型：HEMT，频率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源电压 VDS：8 V，闸/源击穿电压：- 4 V，漏极连续电流：2... |
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NE651R479A |
NEC/CEL |
79A |
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射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET |
|
| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，技术类型：HEMT，频率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源电压 VDS：8 V，闸/源击穿电压：- 4 V，漏极连续电流：1... |
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NE34018-64-A |
NEC/CEL |
SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp |
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| 参数：CEL|散装|-|停产|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面贴装型|SC-82A，... |
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NE34018-A |
NEC/CEL |
SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp |
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| 参数：CEL|散装|-|停产|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面贴装型|SC-82A，... |
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NE4210S01-A |
NEC/CEL |
S0-1 |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：13 dB，噪声系数：0.5 dB，正向跨导 gFS（... |
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NE425S01 |
NEC/CEL |
S0-1 |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：12 dB，噪声系数：0.6 dB，正向跨导 gFS（... |
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NE425S01-T1B |
NEC/CEL |
S0-1 |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：12 dB，噪声系数：0.6 dB，正向跨导 gFS（... |
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NE32584C-S |
NEC/CEL |
Micro-X Ceramic (84 C) |
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射频GaAs晶体管 84C LO NO HJ FET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：12 GHz，增益：12.5 dB，噪声系数：0.45 dB，正向跨导 ... |
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NE325S01 |
NEC/CEL |
SO-1 |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：12.5 dB，噪声系数：0.45 dB，正向跨导 g... |
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|
NE325S01-T1B |
NEC/CEL |
SO-1 |
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射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：12.5 dB，噪声系数：0.45 dB，正向跨导 g... |
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NE25118-T1-U73 |
NEC/CEL |
SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：0.9 GHz，增益：20 dB，噪声系数：1.1 dB，正向跨导 g... |
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NE25118-U73 |
NEC/CEL |
SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：0.9 GHz，增益：20 dB，噪声系数：1.1 dB，正向跨导 g... |
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NE334S01 |
NEC/CEL |
SO-1 |
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射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：4 GHz，增益：16 dB，噪声系数：0.25 dB，正向跨导 gFS（... |
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NE334S01-T1 |
NEC/CEL |
SO-1 |
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射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：4 GHz，增益：16 dB，噪声系数：0.25 dB，正向跨导 gFS（... |
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NE34018-T1-64-A |
NEC/CEL |
SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp |
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| 参数：CEL|卷带（TR）|-|停产|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面贴装型|SC-... |
