首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 射频半导体 > 晶体管射频 > 射频GaAs晶体管 > NE72218

NE72218

厂家：
  NEC/CEL
封装：
 SOT-343
数量：
 8217  
说明：
 射频GaAs晶体管 RO 551-NE34018 5/04
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
NE72218-SOT-343图片

NE72218 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

晶体管极性：N-Channel
工厂包装数量：50
P1dB：15 dBm
封装形式：SOT-343
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：250 mW
最大工作温度：+ 125 C
漏极连续电流：120 mA
闸/源击穿电压：- 5 V
漏源电压 VDS：5 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：45 mS
增益：5 dB
频率：12 GHz
技术类型：MESFET
RoHS：否
制造商：NEC

以上是NE72218的详细信息，包括NE72218厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频MOSFET电源晶体管   射频硅锗晶体管   射频双极小信号晶体管   射频JFET晶体管   射频双极电源晶体管  

最新产品：

  • TSM100N06CZ C0G
  • TNETV2685ZUTA7
  • ECX-P33CM-12.000
  • SW6-005020RN2HM
  • T500D226K035AG6210
  • AFS3-14101580-19-10P-6-L
  • LS1026ASE8P1A
  • ADS124S08IPBS
  • RER65F34R0RCSL
  • 55-CBSA-2.75X4.5X0.5

    • 相近型号推荐

    • 暂无电子元件图

      NE722S01

      射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET

    • 暂无电子元件图

      NE73435

      射频双极小信号晶体管 REORD 551-NE94430 MICRO-X NPN GP SW

    • 暂无电子元件图

      NE76000

      射频放大器 CHIP GEN PUR FET

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC