NE722S01-T1

厂家:
  CEL
封装:
 SO-1
数量:
 4473  
说明:
 射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET
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NE722S01-T1 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:1000
包装形式:Reel
P1dB:15 dBm
封装形式:SO-1
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:250 mW
最大工作温度:+ 125 C
漏极连续电流:120 mA
闸/源击穿电压:- 5 V
漏源电压 VDS:5 V
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :45 mS
噪声系数:0.9 dB
增益:12 dB
频率:4 GHz
技术类型:MESFET
RoHS:是
制造商:CEL

以上是NE722S01-T1的详细信息,包括NE722S01-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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