NE8500295-8

厂家:
  NEC/CEL
封装:
 CHIP
数量:
 4563  
说明:
 射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
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NE8500295-8 PDF参数资料

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中文参数如下:

包装形式:Bulk
P1dB:33.8 dBm
封装形式:CHIP
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:13 W
最大工作温度:+ 175 C
漏极连续电流:1.9 A
闸/源击穿电压:- 12 V
漏源电压 VDS:15 V
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :600 mS
增益:8 dB
频率:7.5 GHz to 8.5 GHz
技术类型:MESFET
RoHS:否
产品种类:射频GaAs晶体管
制造商:NEC

以上是NE8500295-8的详细信息,包括NE8500295-8厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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