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NE425S01

厂家：
  NEC/CEL
封装：
 S0-1
数量：
 5814  
说明：
 射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
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NE425S01-S0-1图片

NE425S01 PDF参数资料

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中文参数如下：

包装形式：Bulk
封装形式：S0-1
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作温度：+ 125 C
漏极连续电流：90 mA
闸/源击穿电压：- 3 V
漏源电压 VDS：4 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：60 mS
噪声系数：0.6 dB
增益：12 dB
频率：12 GHz
技术类型：HEMT
RoHS：是
产品种类：射频GaAs晶体管
制造商：NEC

以上是NE425S01的详细信息，包括NE425S01厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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