NE434S01-T1B

厂家:
  NEC/CEL
封装:
 SO-1
数量:
 3474  
说明:
 MOSFET S01 LO NO HJ FET S01 LO NO HJ FET
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NE434S01-T1B PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:4000
功率耗散:300 mW
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.085 S
包装形式:Reel
封装形式:SO-1
安装风格:SMD/SMT
漏极连续电流:80 mA
闸/源击穿电压:- 3 V
汲极/源极击穿电压:4 V
RoHS:是
制造商:NEC

以上是NE434S01-T1B的详细信息,包括NE434S01-T1B厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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