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IPU04N03LB G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 P-TO251-3-1
数量：
 8658  
说明：
 MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
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IPU04N03LB G-P-TO251-3-1图片

IPU04N03LB G PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.3 毫欧 @ 50A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 70µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：40nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：5200pF @ 15V
功率 - 最大：115W
安装类型：通孔

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