TK9A90E,S4X

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: TO-220SIS
数量：: 5096
说明：: MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS

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中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2000 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：46 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 900μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta）
漏源电压（Vdss）：900 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：π-MOSVIII
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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