首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPU06N03LB G

IPU06N03LB G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO251-3
数量：
 5958  
说明：
 MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPU06N03LB G-PG-TO251-3图片

IPU06N03LB G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6.3 毫欧 @ 50A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)30V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 40µA
闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2800pF @ 15V
功率 - 最大83W
安装类型通孔

以上是IPU06N03LB G的详细信息，包括IPU06N03LB G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • AOD380A60
  • TK5R1A08QM,S4X
  • RD3G03BBGTL1
  • BUK9Y22-60ELX
  • IPA041N04NGXKSA1
  • IRFR7540TRPBF
  • SIHP14N50D-GE3
  • TK16V60W,LVQ
  • NVTFS4C10NWFTAG
  • IAUZ30N10S5L240ATMA1

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC