首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPU050N03L G

IPU050N03L G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO251-3-21
数量：: 8667
说明：: MOSFET N-CH 30V 50A 5mOhms

一、本商品被浏览0次.

IPU050N03L G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：IPU050N03LGXK
典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：1500
上升时间：13 ns
功率耗散：68 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：3.8 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-251
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.005 Ohms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPU050N03L G的详细信息，包括IPU050N03L G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：