首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPU05N03LA G

IPU05N03LA G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 P-TO251-3-1
数量：
 8685  
说明：
 MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPU05N03LA G-P-TO251-3-1图片

IPU05N03LA G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.3 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3110pF @ 15V
功率 - 最大：94W
安装类型：通孔

以上是IPU05N03LA G的详细信息，包括IPU05N03LA G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • FDPF035N06B-F154
  • TK5Q60W,S1VQ
  • NTMYS3D5N04CTWG
  • IPB65R660CFDATMA1
  • MCP75N10Y-BP
  • TK5R3E08QM,S1X
  • SIR5710DP-T1-RE3
  • SIR4604LDP-T1-GE3
  • SIHU6N80AE-GE3
  • IPU95R2K0P7AKMA1

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC