| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF6619TR1PBF | International Rectifier | DirectFET? 等容 MX | 2,000 | MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF6619TRPBF | International Rectifier | DIRECTFET? MX | MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF6620 | International Rectifier | Direct-FET MX | MOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRF6620TR1 | International Rectifier | DirectFET? 等容 MX | MOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRF6620TR1PBF | International Rectifier | DIRECTFET? MX | MOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF6620TRPBF | International Rectifier | DirectFET? 等容 MX | 802 | MOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF6621TR1 | International Rectifier | DirectFET? 等容 SQ | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRF6621TR1PBF | International Rectifier | DIRECTFET? SQ | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF6621TRPBF | International Rectifier | DIRECTFET? SQ | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF6622TR1PBF | International Rectifier | DirectFET? 等容 SQ | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 6.3mOhms 11nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF6622TRPBF | International Rectifier | DirectFET? 等容 SQ | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 6.3mOhms 11nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF6623 | International Rectifier | DIRECTFET? ST | MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRF6623TR1 | International Rectifier | DirectFET? 等容 ST | MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRF6623TR1PBF | International Rectifier | DirectFET? 等容 ST | MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF6623TRPBF | International Rectifier | DirectFET? 等容 ST | 4,700 | MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF6626 | International Rectifier | DirectFET? 等容 ST | MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRF6626TR1 | International Rectifier | DirectFET? 等容 ST | MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRF6626TR1PBF | International Rectifier | DIRECTFET? ST | MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF6626TRPBF | International Rectifier | DIRECTFET? ST | MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF6628TR1PBF | International Rectifier | DIRECTFET? MX | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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