IRF6626TR1

厂家：: International Rectifier
封装：: DirectFET? 等容 ST
数量：: 2367
说明：: MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC

一、本商品被浏览0次.

IRF6626TR1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：17 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：15 ns
功率耗散：2.2 W
最小工作温度：- 40 C
下降时间：4.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET ST
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.4 m Ohms
漏极连续电流：16 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

以上是IRF6626TR1的详细信息，包括IRF6626TR1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：