IRF6633TR1

厂家:
  International Rectifier
封装:
 DirectFET? 等容 MP
数量:
 4311  
说明:
 MOSFET 20V 1 N-CH 7.0mOhm DirectFET 1.8Vgs
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IRF6633TR1 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:12 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:31 ns
功率耗散:2.3 W
最小工作温度:- 40 C
下降时间:4.3 ns
包装形式:Reel
封装形式:Direct-FET MP
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.1 m Ohms
漏极连续电流:16 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:International Rectifier

以上是IRF6633TR1的详细信息,包括IRF6633TR1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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