IRF6619TR1PBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 DirectFET? 等容 MX
数量:
 3998  
说明:
 MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS
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IRF6619TR1PBF PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:1000
功率耗散:89 W
栅极电荷 Qg:38 nC
包装形式:Reel
电阻汲极/源极 RDS(导通):3 mOhms
漏极连续电流:30 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRF6619TR1PBF的详细信息,包括IRF6619TR1PBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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