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IRF6619TRPBF

厂家：
  International Rectifier
封装：
 DIRECTFET? MX
数量：
 2025  
说明：
 MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS
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IRF6619TRPBF PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：4800
功率耗散：89 W
栅极电荷 Qg：38 nC
包装形式：Reel
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 mOhms
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF6619TRPBF的详细信息，包括IRF6619TRPBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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