IRF6623

厂家:
  International Rectifier
封装:
 DIRECTFET? ST
数量:
 2268  
说明:
 MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
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IRF6623 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:12 ns
工厂包装数量:4800
功率耗散:42 W
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Tube
封装形式:DirectFET ST Isometric
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.7 m Ohms
漏极连续电流:16 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:International Rectifier

以上是IRF6623的详细信息,包括IRF6623厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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