| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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MRFG35003ANR5 |
Freescale Semiconductor
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PLD-1.5 |
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射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 |
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| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|pHEMT FET|-|3.55GHz|10.8dB|12 V|-|-|55 mA|3W|15 V|表面贴装型... |
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MRFG35003ANT1 |
Freescale Semiconductor
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PLD-1.5 |
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射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 |
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| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|pHEMT FET|-|3.55GHz|10.8dB|12 V|-|-|55 mA|3W|15 V|表面贴装型... |
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MRFG35003N6AT1 |
Freescale Semiconductor
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PLD-1.5 |
873 |
射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 |
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| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|pHEMT FET|-|3.55GHz|10dB|6 V|-... |
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MRFG35005ANT1 |
Freescale Semiconductor
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PLD-1.5 |
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射频GaAs晶体管 3.5GHZ 4.5W GAAS PLD1.5 |
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| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|pHEMT FET|-|3.55GHz|11dB|12 V|-|-|80 mA|4.5W|15 V|表面贴装型... |
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MRFG35010ANR5 |
Freescale Semiconductor
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NI-360HF |
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射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N |
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| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|pHEMT FET|-|3.55GHz|10dB|12 V|... |
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MRFG35010ANT1 |
Freescale Semiconductor
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PLD-1.5 |
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射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N |
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| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|pHEMT FET|-|3.55GHz|10dB|12 V|... |
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MRFG35010AR1 |
Freescale Semiconductor
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NI-360HF |
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射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF |
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| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|pHEMT FET|-|3.55GHz|10dB|12 V|-|-|140 mA|1W|15 V|底座安装|N... |
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MRFG35010AR5 |
Freescale Semiconductor
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NI-360HF |
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射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF |
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| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|pHEMT FET|-|3.55GHz|10dB|12 V|-|-|140 mA|1W|15 V|底座安装|N... |
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MRFG35020AR5 |
Freescale Semiconductor
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NI-360 |
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射频GaAs晶体管 3.5GHZ 20W GAAS NI360 SH |
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| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|pHEMT FET|-|3.5GHz|11.5dB|12 V|-|-|300 mA|20W|15 V|底座安装... |
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MMZ25332BT1 |
Freescale Semiconductor
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12-QFN（3x3） |
3,155 |
射频GaAs晶体管 31DBM GAAS AMP |
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| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带|-|在售|1.8GHz ~ 2.8GHz|33dBm|26.5dB|... |
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NE72218 |
NEC/CEL
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SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 RO 551-NE34018 5/04 |
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| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：12 GHz，增益：5 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：45 mS，漏源电压 VDS：5... |
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NE722S01 |
CEL
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SO-1 |
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射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：是，技术类型：MESFET，频率：4 GHz，增益：12 dB，噪声系数：0.9 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：45 m... |
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NE722S01-T1 |
CEL
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SO-1 |
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射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：是，技术类型：MESFET，频率：4 GHz，增益：12 dB，噪声系数：0.9 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：45 m... |
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NE722S01-T1B |
CEL
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SO-1 |
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射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：是，技术类型：MESFET，频率：4 GHz，增益：12 dB，噪声系数：0.9 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：45 m... |
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NE8500199 |
CEL
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CHIP |
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射频GaAs晶体管 1W C Band MESFET |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：7.2 GHz，增益：9 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：... |
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NE8500295-4 |
NEC/CEL
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CHIP |
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射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：3.5 GHz to 4.5 GHz，增益：10.5 dB，正向跨导 ... |
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NE8500295-6 |
NEC/CEL
|
CHIP |
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射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：5.5 GHz to 6.5 GHz，增益：9.5 dB，正向跨导 g... |
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NE8500295-8 |
NEC/CEL
|
CHIP |
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射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET |
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| 参数：制造商：NEC，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：7.5 GHz to 8.5 GHz，增益：8 dB，正向跨导 gFS... |
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NE850R599A |
CEL
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Outline99 |
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射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET |
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| 参数：制造商：CEL，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：7.2 GHz，增益：9.5 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值）... |
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NE960R275 |
CEL
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Outline75 |
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射频GaAs晶体管 X KU Band MESFET |
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| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，技术类型：MESFET，频率：14.5 GHz，增益：10 dB，漏源电压 VDS：15 V，闸/源击穿电压：- 7 V，漏极连续... |
