NE8500199

厂家：: CEL
封装：: CHIP
数量：: 4536
说明：: 射频GaAs晶体管 1W C Band MESFET

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NE8500199 PDF参数资料

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中文参数如下：

包装形式：Bulk
P1dB：29.5 dBm
封装形式：CHIP
安装风格：SMD/SMT
功率耗散：6 W
最大工作温度：+ 130 C
漏极连续电流：825 mA
闸/源击穿电压：- 12 V
漏源电压 VDS：15 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：300 mS
增益：9 dB
频率：7.2 GHz
技术类型：MESFET
RoHS：否
产品种类：射频GaAs晶体管
制造商：CEL

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