Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI9433BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 6.2A 2.3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI9433BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 20,331 | MOSFET 20V 6.2A 0.04Ohm | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI9433BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 974 | MOSFET 20V 6.2A 2.5W 40mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI9433DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 5.4A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：5.4 A，电... | ||||||
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SI9434BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 6.3A 2.5W 40mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI9434BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 6.3A 2.5W 40mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI9434DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6.4A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：6.4 A，电阻... | ||||||
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SI9435BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 5.7A 2.5W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI9435BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 14,900 | MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI9435BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2,490 | MOSFET 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SI9436DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.8A 3W | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：4.7 A，电... | ||||||
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SI9529DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V/12V 6/5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V, 12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI8465DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | 90 | MOSFET 20V 3.8A 1.8W 104mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 3.8 A，电阻... | ||||||
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SI8466EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 8V 5.4A 1.8W 43mOhms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：0.7 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI8467DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET -20V 3.4A 1.8W 73mOhms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：- 1.5 V，漏... | ||||||
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SI8469DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 8V 4.6A 1.8W 64mOhms @ 4.5 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极... | ||||||
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SI8472DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-UFBGA | 11,410 | MOSFET 20V 4.5A 1.8W 44mOhms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI8473EDB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20V 7.1A 2.7W 41mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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SI8475EDB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：SI8475EDB-E1，... | ||||||
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SI8483DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（1.5x1） | MOSFET -12V 26mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，... | ||||||
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