Fairchild Semiconductor
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FDB33N25TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 250V N-Ch MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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FDB3502 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 897 | MOSFET 75V N-Channel PowerTrench | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/... | ||||||
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FDB3632 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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FDB3632_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263AB-3 | 180 | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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FDB3632_NL | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET N-CH PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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FDB3632_Q | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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FDB3652 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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FDB3652_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos. | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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FDB3652_Q | Fairchild Semiconductor | TO-263 | MOSFET N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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FDB3672 | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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FDB3672_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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FDB3682 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 790 | MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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FDB3860 | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET 100/20V N Chan PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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FDB38N30U | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | 389 | MOSFET N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 300V, 38A, 120m | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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FDB390N15A | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 4,501 | MOSFET 150V NCHAN PwrTrench | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，漏极连续电流：27 A，电... | ||||||
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FDB4020P | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，... | ||||||
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FDB4030L | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET TO-263 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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FDB42AN15A0 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸... | ||||||
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FDB44N25TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 250V N-Ch MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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FDB52N20TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 13 | MOSFET 200V N-Ch MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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