FDB3672_F085

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263AB
数量:
 3267  
说明:
 MOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

FDB3672_F085 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:26 ns
工厂包装数量:800
上升时间:59 ns
功率耗散:120 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:44 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263AB
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.028 Ohms
漏极连续电流:7.2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDB3672_F085的详细信息,包括FDB3672_F085厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • FDB3682图片

    FDB3682

    MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench

  • FDB3860图片

    FDB3860

    MOSFET 100/20V N Chan PowerTrench

  • FDB38N30U图片

    FDB38N30U

    MOSFET N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 300V, 38A, 120m

  • FDB4020P图片

    FDB4020P

    MOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC