FDB3652_F085

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-263AB
数量：: 3249
说明：: MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos.

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FDB3652_F085 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26 ns
工厂包装数量：800
上升时间：85 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：45 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263AB
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：16 mOhms
漏极连续电流：61 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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