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FDB3652_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-263
数量：
 3897  
说明：
 MOSFET N-Channel PowerTrench
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FDB3652_Q-TO-263图片

FDB3652_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26 ns
上升时间：85 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：45 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms at 10 V
漏极连续电流：61 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB3652_Q的详细信息，包括FDB3652_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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