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FDB3632_F085

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-263AB-3
数量：
 7479  
说明：
 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDB3632_F085 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：96 ns
上升时间：39 ns
功率耗散：310 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：84 nC
下降时间：46 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263AB-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.5 mOhms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB3632_F085的详细信息，包括FDB3632_F085厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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