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SI4160DY-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SOIC
数量：
 7585  
说明：
 MOSFET 30V 25.4A 5.7W
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SI4160DY-T1-GE3-8-SOIC图片

SI4160DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4160DY-GE3
典型关闭延迟时间：28 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：16 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：60 S
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0051 Ohms
漏极连续电流：25.4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4160DY-T1-GE3的详细信息，包括SI4160DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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