SI4178DY-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 1287  
说明:
 MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET
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SI4178DY-T1-GE3-8-SOIC(0.154

SI4178DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI4178DY-GE3
功率耗散:5 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:7.5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :22 S
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.017 Ohms
漏极连续电流:12 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SI4178DY-T1-GE3的详细信息,包括SI4178DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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