SI4190DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 1296
说明：: MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S)

一、本商品被浏览0次.

SI4190DY-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI4190DY-GE3
功率耗散：7.8 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：38.6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：58 S
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.8 mOhms
漏极连续电流：20 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI4190DY-T1-GE3的详细信息，包括SI4190DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：